Trigate транзистор, также известный как 3D-транзистор, представляет собой тип полевого транзистора с металлическим затвором и изоляцией на оксиде металла (MOSFET), который использует трехмерную структуру для улучшения производительности и снижения энергопотребления. Эта технология была впервые представлена компанией Intel в 2011 году под названием "Tri-Gate" в их процессорах семейства Ivy Bridge.
Принцип работы:
В традиционных плоских (planar) MOSFET транзисторах затвор расположен только сверху полупроводникового канала. В trigate транзисторе затвор окружает канал с трех сторон (сверху и с двух боков), что позволяет более эффективно контролировать поток электронов через канал.
Преимущества:
- Улучшенное управление током: Благодаря трехмерной структуре затвора, trigate транзисторы обеспечивают лучший контроль над током, что снижает утечку тока в закрытом состоянии и увеличивает скорость переключения.
- Меньшее энергопотребление: Улучшенное управление током приводит к снижению энергопотребления, что особенно важно для мобильных устройств и центров обработки данных.
- Повышение производительности: Trigate транзисторы могут работать на более высоких частотах, что увеличивает общую производительность устройства.
- Масштабируемость: Эта технология позволяет создавать транзисторы меньшего размера, что важно для продолжения следования закону Мура.
Технологические аспекты:
- Изготовление: Процесс изготовления trigate транзисторов сложнее, чем у традиционных плоских транзисторов, и требует более продвинутых технологий литографии и эпитаксии.
- Материалы: Для изготовления каналов часто используются новые материалы, такие как соединения III-V группы или германий, для улучшения электрических характеристик.
Применение:
Trigate транзисторы используются в высокопроизводительных процессорах и памяти, а также в устройствах, требующих низкого энергопотребления, таких как смартфоны и планшеты.
Будущее технологии:
С развитием технологий производства полупроводников, таких как EUV (экстремальное ультрафиолетовое излучение) литография, ожидается дальнейшее уменьшение размеров и повышение эффективности trigate транзисторов. | 
